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高橋 正光; 水木 純一郎
Journal of Crystal Growth, 301-302, p.16 - 21, 2007/04
被引用回数：2 パーセンタイル：27.92(Crystallography)近年、走査型プローブや各種回折法を含む先端的な表面分析手法がGaAs表面に適用され、MBE成長の原子論的理解が進められている。成長条件下では、GaAsの表面は材料物質ガスにさらされており、表面と環境との間で原子のやりとりが行われている。このような状況においては、バルク中とは異なる化学組成を持つ、さまざまな表面再構成構造が形成される。これらの再構成構造を成長条件下で決定することは、MBE成長の素過程を理解するためにきわめて重要である。本研究では、実際に成長条件下にある2
4構造と、As吸着によって引き起こされる構造変化について、X線回折法による構造決定を行った。
海津 利行; 高橋 正光; 山口 浩一*; 水木 純一郎
Journal of Crystal Growth, 301-302, p.248 - 251, 2007/04
被引用回数：13 パーセンタイル：77.38(Crystallography)Stranski-Krastanov成長法によりGaAs基板上に自己形成したInAs量子ドット構造は、新しい光電子デバイスへの応用が期待されている。その実現のためには、量子ドットのサイズやその均一性,密度などの精密な制御が重要であり、これまでInAs量子ドットの成長条件の検討や量子ドット形成後の成長中断の影響について研究が行われてきた。しかし、さまざまな条件で作製した量子ドット構造の成長中断過程における構造変化やそのメカニズムはまだ十分理解されていない。本研究では、SPring-8に設置された分子線エピタキシ装置とX線回折計が一体化した装置を用いたその場X線回折により、成長量の異なる2種類のInAs/GaAs(001)量子ドット構造について、アニール中の構造変化の解析を行った。その結果、成長量の少ない条件ではライプニング現象が、成長量の多い条件ではInAs量子ドット内へのGa原子の混入による3次元の島状構造から2次元層構造への形状遷移がそれぞれ観察され、InAs成長量によるアニール中の量子ドットの構造変化の違いが明らかになった。これらの結果により、InAs量子ドット構造の制御について有効な知見が得られた。
Bell, G.*; Quinn, P.*; Noakes, T.*; Bailey, P.*; 高橋 正光
no journal, ,
中速イオン散乱(MEIS)は従来、半導体の膜構造を調べる強力な手法として使われてきた。とくに、MEISのエネルギースペクトルは、元素の深さ分布に変換でき、その分解能は原子層レベルにまで達している。しかしながら、MEISをナノ構造(二次元の膜構造というよりはむしろ、ゼロ次元ないし一次元の構造)に対して応用する試みはほとんどなかった。最近、われわれは分子線エピタキシー(MBE)法によって作製したInAs/GaAs(001)量子ドットをMEISを用いて解析し、その内部のIn組成を解析することに成功している。本研究では、さらに進んで、この実験手法を、各種成長条件下で成長したInAs/GaAs(001)量子ドットに対して適用した。測定に用いられた試料は、SPring-8のその場X線回折測定用のMBE装置によって作製されたもので、同じ試料から得られたX線回折による組成分析結果と直接に比較可能である。成長条件の違いによるIn組成分布の変化が明らかにされた。
